Первая миля #4/2020
В.Андреев, В.Бурдин, А.Нижгородов
СЦЕНАРИИ ПРОГНОЗА СРОКА СЛУЖБЫ ОПТИЧЕСКОГО ВОЛОКНА В КЛС DOI: 10.22184/2070-8963.2020.89.4.34.43 Рассмотрены возможные сценарии прогноза срока службы оптического кабеля на введенной в эксплуатацию линии связи при использовании рекомендуемой в нормативных документах модели, описывающей взаимосвязь срока службы и вероятности повреждения оптического волокна в кабеле. Электроника НТБ #10/2019
М. Макушин, И. Черепанов
Современные тенденции развития конденсаторов Общими тенденциями развития конденсаторов является уменьшение размеров, обеспечиваемое использованием суперматериалов и супертехнологий, расширение диапазона параметров, увеличение устойчивости к жестким условиям окружающей среды и долговечности. Отмечается перспективность многослойных керамических конденсаторов (MLCC) для поверхностного монтажа. DOI: 10.22184/1992-4178.2019.191.10.50.55 Наноиндустрия #6/2019
М.Г.Мустафаев, Д.Г.Мустафаева, Г.А.Мустафаев
Формирование многоуровневой системы межсоединений и повышение воспроизводимости процесса при создании элементов интегральной электроники DOI: 10.22184/1993-8578.2019.12.6.338.341 Показано формирование многоуровневой системы межсоединений (МСМ) в элементах интегральной электроники, определены влияющие факторы, пути снижения внутренних напряжений и обеспечение адгезии. Показано, что МСМ обеспечивает создание надежных и стабильных элементов и воспроизводимость получения МСМ. Электроника НТБ #5/2019
М. Макушин, В. Мартынов
ПОВЫШЕНИЕ НАДЕЖНОСТИ И ВЫХОДА ГОДНЫХ: ТРАДИЦИОННЫЕ И НОВЫЕ ПОДХОДЫ По мере масштабирования микроэлектронных технологий, освоения производства новых поколений приборов задача увеличения выхода годных становится все более актуальной. Для повышения надежности и выхода годных производители постоянно совершенствуют существующие методы метрологии и тестирования, а также создают новые. Электроника НТБ #4/2019
С. Белоусов
Повышение стойкости к воздействию ТЗЧ устройств на базе ПЛИС с использованием инструмента Synplify Premier Рассматривается применение мажоритарного резервирования при проектировании устройств, в частности, космического применения на основе ПЛИС различных типов для повышения их устойчивости к воздействию тяжелых заряженных частиц. Приводятся возможности реализации данного и других методов повышения надежности с помощью инструмента Synplify Premier от компании Synopsys. DOI: 10.22184/1992-4178.2019.185.4.82.87 УДК [004.9::658.512.22]::[004.31::629.78] ВАК 05.13.12 Электроника НТБ #8/2018
М. Червинский
Мощные светодиоды компании Cree Рассматриваются технология SC5, характеристики мощных светодиодов серий XHP и J. Благодаря уникальным технологиям производства полупроводниковых материалов продукция Cree отличается высокими электрическими характеристиками и надежностью. DOI: 10.22184/1992-4178.2018.179.8.92.100 УДК 621.383 | ВАК 05.27.00 Первая миля #5/2018
А.Зубилевич, С.Сиднев, В.Царенко
Резервирование волокон в кабелях, проложенных в труднодоступных местах Яркий пример прокладки ВОЛС в труднодоступных местах – кабельные подводные линии связи, общая протяженность которых превышает в настоящее время 300 тыс. км. Их надежная работа является главной задачей при проектировании оптических линий связи. В статье рассматриваются вопросы резервирования в подводных оптических кабелях. УДК: 330.332.5, 519.873, 621.315.235, 621.36, 65.011.46; DOI: 10.22184/2070-8963.2018.74.5.16.19 Наноиндустрия #9/2018
Слепцов Евгений Васильевич, Черных Алексей Владимирович, Черных Сергей Владимирович, Слепцова Анастасия Алексеевна, Кондратьев Евгений Сергеевич, Гладышева Надежда Борисовна, Дорофеев Алексей Анатольевич, Диденко Сергей Иванович
Исследование барьеров Шоттки на основе Ni/Au, Mo/Au и Re/Au к AlGaN/GaN гетероструктурам В настоящей работе проведено исследование влияния отжига в диапазоне температур от 300 до 650 °C на параметры барьера Шоттки и тока утечки контактов Шоттки Ni/Au, Mo/Au и Re/Au к гетероструктурам AlGaN/GaN. УДК 621.382.032.27 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.264.265 Наноиндустрия #9/2018
Сивченко Александр Сергеевич, Кузнецов Евгений Васильевич
Определение основных параметров надежности КМОП процесса полупроводниковой фабрики В данной работе предложен подход по оценке надежности технологии КМОП ИС. Для этого разработаны методики исследований, автоматизированные программы измерений на их основе и тестовые структуры. Данные методики позволяют проводить исследования по оценке качества подзатворного диэлектрика МОП транзисторов, их стойкости к воздействию горячих носителей и изменению параметров под воздействием высокой температуры при отрицательном напряжении, а также определять надежность шин металлизации и переходных окон к электромиграции. Разработанные методики прошли апробацию на тестовых структурах, изготовленных по технологии 65 нм. Предложенный подход может быть использован на фабриках по производству КМОП ИС для контроля качества технологических процессов, от которых зависят основные характеристики надежности КМОП ИС, а также дизайн-центрами для оценки надежности технологии полупроводниковой фабрики. УДК 621.3.049 .77 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.257.263 Наноиндустрия #9/2018
Гусев Егор Владимирович, Стефанцов Алексей Вячеславович
Технология разработки надежного программного обеспечения В статье рассматривается технология разработки надежного бортового программного обеспечения, включающая технологический маршрут и программно-аппаратные средства отладки и испытаний. Предлагаемая технология позволяет выполнять разработку бортового программного обеспечения параллельно с разработкой аппаратуры, выполнять тестирование и испытания для достижения необходимой полноты отработки. УДК 004.415.2 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.167.168